真空蒸镀阻隔包装薄膜的主要制备方法

真空蒸镀阻隔包装薄膜的主要制备方法主要可分为物理气相沉积和等离子体增强化学气相沉积。
一、物理气相沉积
1、电阻丝蒸镀和电子束蒸镀沉积SiOx薄膜
电阻丝蒸发镀法是在真空室中，用电阻丝加热SiO2，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，在基材表面沉积SiOx薄膜的方法。电子束蒸发镀膜法是将SiO2放入水冷铜坩锅中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面形成SiOx薄膜。电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度，蒸发温度高，特别适合制作高熔点薄膜材料和高纯薄膜材料，并且能有较高的蒸发速度，热量可直接加到蒸镀材料的表面，因而热效率高，热传导和热辐射的损失少，所沉积的SiOx薄膜阻隔性有显著提高。
2、磁控溅射沉积SiOx薄膜
磁控溅射法与蒸发法相比，具有镀膜层与基材的结合力强，镀膜层致密、均匀等优点。磁控溅射还有其它优点，如设备简单，操作方便，控制也不太难。在溅射镀膜过程中，只要保持工作气压和溅射功率恒定，基本上即可获得稳定的沉积速率，但沉积速率相对较低是其最大缺点。用单元素靶材溅射并倒入反应气体，进行的反应称为反应溅射，反应磁控溅射中调节沉积工艺参数，可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜，从而达到通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性的目的。
二、等离子体增强化学气相沉积
PVDC是利用等离子体手段产生电子、离子、活性基团，在气态或基体表面进行化学反应，以薄膜或粉末的形式沉积于基材表面，是等离子体化学的一个重要研究方向。其应用范围日益扩大，如纺织、纳米材料的制备、医用高分子材料、功能薄膜等。采用有机硅化合物作为单体，用等离子体手段先进行离解，然后聚合沉积在基材表面，是一种新的SiOx薄膜制备手段。